从飞凌OK6410 升级为1G NAND中看SLC技术和MLC技术的区别与发展

飞凌OK6410开发板全新升级，标配1G超大容量NandFlash，让您的使用更加游刃有余。

    市面上绝大多数6410开发板仍然只是支持SLC类型的NAND。我们经过努力，实现了MLC NAND的完美支

持。成为同价位开发板中唯一标配1GFlash的产品。包括wince系统在内的驱动软件经过改写，并严格测

试。使用MLC的NAND可大幅提高容量和产品性价比。

备注：强大的S3C6410处理器支持MLC NANDFLASH,而这个功能在S3C2440上是不支持的。MLC NAND已经得

到广泛应用，是未来的发展方向。

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    以前只是知道FLASH分为NOR和NAND，没有注意过NAND还分很多种。今天看到飞凌的升级信息，就在

网上查了一下。评论不一，就拿出来和大家讨论一下，互相学习了。

    Flash闪存是非易失性存储器，这是相对于SDRAM等存储器所说的。即存储器断电后，内部的数据仍

然可以保存。Flash根据技术方式分为Nand 、Nor Flash和AG-AND Flash，而U盘和MP3中最常用的内存就

是Nand Flash。

    Nand Flash也有几种，根据技术方式，分为SLC、MCL、MirrorBit等三种。SLC是Single level cell

的缩写，意为每个存储单元中只有1bit数据。而MLC就是Multi-Level-Cell，意为该技术允许2 bit的数

据存储在一个存储单元当中。而MirrorBit则是每个存储单元中只有4bit数据。
SLC的技术存储比较稳定，SLC的技术也最为成熟。然而MLC可以在一个单元中有2bit数据，这样同样大小

的晶圆就可以存放更多的数据，也就是成本相同的情况下，容量可以做的更大，这也是同样容量，MLC价

格比SLC低很多的原因。通常情况下相同容量的MLC和SLC，MLC的价格比SLC低30％~40%，有些甚至更低。

    区分SLC(停产)和MLC（现在主流，分新老制程，60NM 和56/50NM ）

    1、看Flash的型号：根据Flash的命名规则，进行区分。

    2、测试读写速度：SLC的非常快，MLC的很慢。


    SLC闪存：即单层式储存 (Single Level Cell；SLC)，包括三星电子、Hynix、美光（Micron）以及

东芝都是此技术使用者

    MLC闪存：多层式储存（Multi Level Cell；MLC)，目前有东芝、Renesas、三星使用，英飞凌

（Infineon）与Saifun Semiconductors合资利用NROM技术所共同开发的多位储存（Multi Bit Cell；

MBC）。


    除了三星，Hynix等其他存储器制造商也在向MLC闪存迈进。虽然东芝凭借多年的技术积累而在MLC技

术上占据优势，但英特尔与美光科技的合资企业IM Flash也有能力结合英特尔MLC技术与美光的NAND闪存

，从而在MLC型NAND闪存领域迅猛发展。

    MLC闪存技术并非没有不足，实际上，在采用先进工艺生产MLC闪存方面困难重重。随着闪存技术的

演进，在浮动栅(floating gate)中存储的电荷总量减少了，使得检测存储的信息变得更加困难，尤其是

对MLC芯片而言，它需要识别四个电压值，而非两个。尽管如此，据报道，东芝在70nm工艺中能够保证采

用与90nm技术相同的代码纠错方案。这显示该公司并没有放慢MLC技术缩放的步伐，最少是就现在而言。

    对于我们消费者而言，最关心的就是产品的质量问题，因此，网上流传很多说法，好像只有使用SLC

闪存的产品才是质量好的产品，其实不尽然，产品的质量好坏第一个关节是采用的物料的好坏，第二个

关节是厂家是否在生产过程中偷工减料。这两者都是很重要的。再其次，就是产品的成熟程度，一般刚

推出来的产品一般都会存在一些不为人知的问题，只能靠以后的不断改进才能使产品日趋完善

    随着MP3、MP4控制芯片的更新换代和软件控制技术的更新，克服了很多难关，目前对于MLC闪存芯片

的架驽能力已经很成熟了，再加上MLC闪存生产技术的改进，因此目前很多厂家（包括IPOD）都采用MLC

闪存用于消费类数码产品的生产，尤其是大容量的数码产品，非它不可！

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