3GB RAM 就叫旗舰手机，那 1TB 如何？这未来也许不远了呢

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除了超高解析的萤幕以外，现在大家对於旗舰机的记忆体（RAM）要求，应该都是非 3GB 就看不上眼吧？不过在莱斯大学最新的电阻式记忆体（RRAM）研究的面前，这样的容量大概就会被当成尾数去掉了呢（惊）。RRAM 所使用技术并非传统 Flash 采用电晶体为单元而是以电阻所组成，却也同样具备无需持续供电的优势。

而且 RRAM 技术可以更轻松层叠以更有效地增加单晶片的储存空间。重点是，新的技术可在室温环境与较低能耗之下生产，大幅度地改善了以往需要超高温、高电压的低良率高成本制程，降低了制作难度。而综合以上的优势所得到的结果就是，为了将可在一张邮票大小的晶片中，获得 TB 级的超大记忆体容量。很难想像吧？跳转以后观看更详细的介绍。
这次的技术突破点在於，研究团队改采以金属（金或白金）填入仅有 5 nm 宽的奈米级二氧化矽层的孔缝之中的方式，并且以两片非常薄的金属包覆来制成电极。这样制作方式相较以往将可大幅降低成本，并且可以增加一百倍的使用次数，储存单元的密度也因此大幅增加 -- RRAM 的每个 Cell 单元可储存 9 bits（Flash 则是仅有 3 bits）-- 这样的成果让我们普遍见到的 RAM 记忆体的容量单位，一跃到了在固态硬碟 SSD 上才会见到的 TB 级容量大小，但所需要的体积却是迷你很多。

这样说好了，一间已经准备推出相关产品的公司 Crossbar 表示，使用这样技术的记忆体晶片可以使 1TB 的记忆体，容纳在仅仅一张邮票大小的晶片尺寸中，而这样的特性不正是极度适合行动装置吗？虽说该公司目前的计划是要把这样的科技，应用在一些 embedded 用途与汽车上，所以短期之内应该暂时不会看到搭载此技术的消费型商品。但研究团队也表示未来几周也会与其他厂商接触，所以也不能说这样的未来还距离我们很远囉（期待）。

出左先算

价钱是王道

电脑都未使用1T ram, 128G SSD都只用一半，电话要用 1T??